Resumen - Transición de fase ferromagnética a antiferromagnética inducida por presión en el compuesto de chalcógeno de metal de transición Cr$_{3}$Te$_{4}$

Transición de fase ferromagnética a antiferromagnética inducida por presión en el compuesto de chalcógeno de metal de transición Cr$_{3}$Te$_{4}$

2025-07-10 11:23:24

{"Asish Kumar Mishra","Souvick Chakraborty","Bidisha Mukherjee","Mrinmay Sahu","Suvashree Mukherjee","Shubham Purwar","Harekrishna Bhunia","S. Thirupathaiah","Peter Liermann","Satyabrata Raj","Goutam Dev Mukherjee"}

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Esta investigación investiga la transición de fase inducida por presión desde ferromagnética hasta antiferromagnética en el compuesto de cincóxido de cromo Cr3Te4. El estudio utilizó espectroscopia Raman y difracción de rayos X (XRD) para analizar el material bajo condiciones de alta presión. Bajo condiciones ambientales, Cr3Te4 es ferromagnético y metálico. La investigación encontró que su estructura monoclinica permanece estable hasta una presión de 30 GPa, la más alta estudiada. La longitud del enlace Cr-Te y el volumen octahedral disminuyeron significativamente hasta 7.6 GPa, sugiriendo un posible cambio en el estado fundamental magnético. El modo Raman A1g mostró un desplazamiento al rojo hasta 7.6 GPa, y el modo Raman Eg presentó una disminución repentina alrededor de la misma presión. La espectroscopia Raman a baja temperatura indicó que los modos Raman se suavizaron en la transición de fase, lo que implica un cambio en el ordenamiento magnético. Los cálculos teóricos de Teoría de la Función de Densidad (DFT) confirmaron un cambio en el estado fundamental magnético desde ferromagnético hasta antiferromagnético por encima de 7.6 GPa, respaldando los resultados experimentales. El estudio sugiere que la compresión anisotrópica inducida por presión a lo largo del eje c mejora la interacción de intercambio directo, llevando a la transición a un estado fundamental antiferromagnético. Las hallazgos resaltan la modificación de la estructura magnética inducida por presión en Cr3Te4 y la presencia de耦合 magneto-estructural, lo que podría abrir vías para aplicaciones futuras.