光束誘導電流 - 百科事典

光学ビーム誘導電流（OBIC）は、レーザーシグナル注入を使用した半導体分析技術です。この技術は、スキャンレーザービームを使用して半導体サンプル内に電子-ホール対を作り出します。これにより、サンプルの特性、特に欠陥や異常を決定するために分析される電流が引き起こされます。

従来のOBICは、サンプルの表面に超高速レーザービームをスキャンし、'単一光子吸収'と呼ばれる方法で、一部の電子を伝導帯に励起します。名前からも分かるように、単一光子吸収は、電子を伝導帯に励起するのに必要なエネルギーを持つ単一の光子だけを利用します。これは、その単一の光子が半導体のバンドギャップ（Siの場合、1.12 eV）を克服し、電子に十分なエネルギーを提供して伝導帯に跳ね上がることを可能にするためです。

用途
この技術は、埋め込まれた拡散地域、損傷した結合部、ゲート酸化短絡を特定するために、半導体不良分析に使用されます。OBIC技術は、ICのボリュームシリコンにおける集束イオンビーム（FIB）ミリング作業が終了するポイント（エンドポイントとも呼ばれる）を検出するために使用されます。これは、レーザーを使用してシリコンに光電流を誘導し、同時にアメータをデバイスの電源と接地に接続して光電流の大きさをモニタリングすることで実現されます。ボリュームシリコンが薄くなるにつれて、光電流は増え、井戸結合の減少領域に達するとピークに達します。この方法で、エンドポイントは井戸の深さ直下に達し、デバイスは作動し続けます。

参考資料
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注意



参考文献
Cole, Ed; et al. (2004), "Beam-Based Defect Localization Methods", Microelectronics Failure Analysis, Materials Park: ASM International, ISBN 0-87170-804-3.
Antoniou, Nicholas (2004), "The Process of Editing Circuits Through the Bulk Silicon", Microelectronics Failure Analysis, Materials Park: ASM International, ISBN 0-87170-804-3.


参考文献リスト
Manfred Frischholz; Jörg Seidel; Adolf Schoner; Ulf Gustafsson; Mietek Bakowski; Kenneth Nordgren; Kurt Rottner (1998), "JTE concept evaluation and failure analysis: OBIC measurements on 4H Sic p+-n diodes", Proceedings of 1998 International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs, Kyoto: 391–394.