Corriente inducida por haz óptico - Enciclopedia

El corriente inducido por haz óptico (OBIC) es una técnica de análisis de semiconductores realizada mediante inyección de señal láser. La técnica utiliza un haz láser de escaneo para crear pares electrón-hueco en una muestra de semiconductor. Esto induce un corriente que puede analizarse para determinar las propiedades de la muestra, especialmente defectos o anomalías.

La OBIC convencional escanea un haz láser ultrarrápido sobre la superficie de la muestra, excitando a algunos electrones al bandgap de conducción mediante lo que se conoce como "absorción de fotón único". Como su nombre implica, la absorción de fotón único implica solo un fotón para excitar al electrón al bandgap de conducción. Esto solo puede ocurrir si ese fotón único transporta suficiente energía para superar el ancho de banda del semiconductor (1.12 eV para Si) y proporcionar al electrón suficiente energía para que pueda saltar al bandgap de conducción.

Usos
La técnica se utiliza en el análisis de fallos de semiconductores para localizar regiones de difusión enterradas, uniones dañadas y cortocircuitos de óxido de puerta.
La técnica OBIC puede utilizarse para detectar el punto en el que debe detenerse una operación de mecanizado con haz de iones (FIB) en el silicio en bruto de un IC (también conocido como "punto final"). Esto se logra utilizando un láser para inducir un corriente fotónico en el silicio mientras se monitorea simultáneamente la magnitud del corriente fotónico conectando un amperímetro a la potencia y tierra del dispositivo. A medida que el silicio en bruto se hace más delgado, el corriente fotónico aumenta y alcanza un pico cuando se alcanza la región de agotamiento de la unión entre el pozo y el substrato. De esta manera, se puede alcanzar el punto final justo debajo de la profundidad del pozo y el dispositivo sigue funcionando.

Ver también
Lista de artículos sobre láseres

Notas
Referencias
Cole, Ed; et al. (2004), "Métodos de localización de defectos basados en haces", Análisis de fallos de microelectrónica, Materials Park: ASM International, ISBN 0-87170-804-3.
Antoniou, Nicholas (2004), "El proceso de editar circuitos a través del silicio en bruto", Análisis de fallos de microelectrónica, Materials Park: ASM International, ISBN 0-87170-804-3.

Lecturas adicionales
Manfred Frischholz; Jörg Seidel; Adolf Schoner; Ulf Gustafsson; Mietek Bakowski; Kenneth Nordgren; Kurt Rottner (1998), "Evaluación del concepto JTE y análisis de fallos: mediciones OBIC en diodos p+-n de SiC 4H", Procesos del Simposio Internacional de 1998 sobre Dispositivos y IC de Semiconductores de Potencia, Kyoto: 391–394.