VMOS - Enciclopedia
Un transistor VMOS () (semiconductor de óxido metálico vertical o transistor de ranura V) es un tipo de transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor (MOSFET). VMOS también se utiliza para describir la forma de ranura V cortada verticalmente en el material de sustrato.
La forma "V" de la puerta del MOSFET permite que el dispositivo entregue una mayor cantidad de corriente desde la fuente al drenaje del dispositivo. La forma de la región de agotamiento crea un canal más ancho, permitiendo que más corriente fluya a través de él.
Durante la operación en modo de bloqueo, el campo eléctrico más alto ocurre en la unión N+/p+. La presencia de una esquina aguda en la base de la ranura mejora el campo eléctrico en el borde del canal en la región de agotamiento, reduciendo así la voltaje de ruptura del dispositivo. Este campo eléctrico lanza electrones hacia el óxido de la puerta y, en consecuencia, los electrones atrapados cambian la voltaje de umbral del MOSFET. Por esta razón, la arquitectura de ranura V ya no se utiliza en dispositivos comerciales.
El uso del dispositivo fue como un dispositivo de potencia hasta que se introdujeron geometrías más adecuadas, como el UMOS (o Trench-Gate MOS), para reducir el campo eléctrico máximo en la parte superior de la forma V y así lograr voltajes máximos más altos que en el caso del VMOS.
Historia
El MOSFET fue inventado en Bell Labs entre 1955 y 1960. La construcción de ranura V fue pionera por Jun-ichi Nishizawa en 1969, inicialmente para el transistor de inucción estática (SIT), un tipo de transistor de efecto de campo de unión (JFET).
El VMOS fue inventado por Hitachi en 1969, cuando introdujeron el primer MOSFET de potencia vertical en Japón. T. J. Rodgers, mientras era estudiante en la Universidad de Stanford, presentó una patente de EE. UU. para un VMOS en 1973. Siliconix introdujo comercialmente un VMOS en 1975. El VMOS más tarde se desarrolló en lo que se conoció como el vertical DMOS (VDMOS).
En 1978, American Microsystems (AMI) lanzó el S2811. Fue el primer chip de circuito integrado diseñado específicamente como procesador de señales digitales (DSP), y se fabricó utilizando VMOS, una tecnología que anteriormente no se había producido en masa.
Referencias